在半導體器件領域，PN 結二極管的反向擊穿特性至關重要。于常規(guī)狀態(tài)下的反向偏置 PN 結，僅有微小漏電流，其值基本恒定。一旦反向電壓逾越特定閾值，PN 結便突兀開啟大電流導通模式（參考圖 1），此即反向擊穿現象。若無外力限流，極有可能損毀器件。

圖 1.PN 結二極管反向擊穿示意

反向擊穿通常界定固態(tài)器件最大工作電壓。但經恰當限流措施后，反向擊穿的 PN 結可變身穩(wěn)定電壓參考源。

一、反向擊穿機制剖析

雪崩倍增 ：反向偏置 PN 結時，耗盡區(qū)隨偏置升高而拓寬，不過電場強化 pace 更快。強勁電場加速載流子，使其高速穿越耗盡區(qū)，撞擊晶格原子，釋放價電子，催生新載流子。一載流子可撞出成千上萬新載流子，形似滾雪球成雪崩，故名雪崩倍增。

隧道效應 ：此為量子機制過程，載流子借助量子隧穿，無視障礙，短距離遷移。當耗盡區(qū)薄至臨界值，載流子能隧穿躍過。隧道電流受耗盡區(qū)寬度、結電壓差主宰，由此引發(fā)的反向擊穿稱齊納擊穿。

二、擊穿電壓影響要素

結反向擊穿電壓與耗盡區(qū)寬度緊密相連，耗盡區(qū)越寬，擊穿電壓越高。輕摻雜致使耗盡區(qū)寬闊，擊穿電壓攀升。擊穿電壓低于 5 伏，齊納擊穿主導；高于 5 伏，雪崩擊穿占優(yōu)。

基于工作機制，PN 二極管衍生出齊納二極管（低擊穿電壓，低于 5 伏）、雪崩二極管（高擊穿電壓，高于 5 伏）。不過，工程師常統稱其為齊納管，易引混淆。

三、幾何形狀對擊穿電壓的影響

結擊穿電壓除受摻雜特性左右，還深受幾何形狀影響。前文探討平面結情境，實際多曲面結，曲率強化電場，削減擊穿電壓，曲率半徑越小，擊穿電壓越低。肖特基二極管因金屬 - 硅交界面邊緣斷層，電場強化顯著降低擊穿電壓，需特定手段弱化肖特基勢壘邊緣電場。

圖 2 呈現 PN 結、肖特基、齊納二極管電路圖符號，箭頭指示正向偏置電流方向，齊納二極管雖箭頭方向易引誤導，但其常處反向偏置態(tài)。

圖 2 PN 結、肖特基、齊納二極管電路圖符號

四、齊納二極管應用誤區(qū)及原則

在齊納二極管應用中，初學者易陷入誤區(qū)，總結如下：

理想化特性認知偏差 ：低壓齊納管實際曲線欠理想，不能僅憑標稱值臆想其性能。

保護應用關鍵要素忽視 ：利用齊納管做保護時，需考量漏電流、確保截止電壓余量、關注導通狀態(tài)電壓變化，且各要素相互牽制，需權衡取舍。

動態(tài)內阻及反應遲鈍性不明 ：齊納管動態(tài)內阻致電壓隨電流變，反應存在延遲，結電容亦影響其高頻響應。

據此總結應用原則：

低壓齊納管應用需謹慎，盡量規(guī)避。

作保護器件時，合理選取 UZ，保障 UWMAX＋UM（UM＞0）。

設計秉持 “動態(tài)” 理念，顧及電路反應遲緩性。

遵循墨菲定律，預留充足設計冗余。

五、穩(wěn)壓管典型穩(wěn)壓電路解析

如下圖，

D1 為穩(wěn)壓二極管，與負載 R2 并聯，R1 為限流電阻。電網電壓升高，Vin 上升，Vout 升高苗頭顯現，D1 電流劇增，I 增大，R1 壓降增大，抵消 Vout 升高；電網電壓降低，Vin 下滑，Vout 下降趨勢出現，D1 電流驟減，I 減小，R1 壓降減小，抵消 Vin 下降。負載電流增加，R1 壓降上升，Vout 下降，D1 電流銳減，R1 壓降回降，Vout 穩(wěn)定。穩(wěn)壓管主導電流調節(jié)，限流電阻負責電壓調整，穩(wěn)壓管動態(tài)電阻越小、限流電阻越大，輸出電壓越穩(wěn)。
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