IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。
IGBT管可以根據其結構特點分為單極IGBT管和雙極IGBT管。單極IGBT管具有簡單的結構，可以實現高效率的控制；雙極IGBT管具有更復雜的結構，可以實現更高的可靠性和更低的損耗。
IGBT管的工作特性主要有：
1.高效率：IGBT管具有高效率，可以節省能源；
2.低損耗：IGBT管具有低損耗，可以降低系統成本；
3.高可靠性：IGBT管具有高可靠性，可以提高系統可靠性；
4.高靈敏度：IGBT管具有高靈敏度，可以提高系統精度；
5.高速度：IGBT管具有高速度，可以提高系統響應速度。
IGBT管的選擇應根據應用環境和要求來確定，主要考慮以下幾個方面：
1.IGBT管的最大電流和最大電壓；
2.IGBT管的最大功率、最大損耗、最大溫度、最小溫度和最大頻率；
3.IGBT管的封裝形式；
4.IGBT管的可靠性和可用性；
5.IGBT管的成本。
IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。
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