IGBT失效詳解
失效模式
根據(jù)失效的部位不同，可將IGBT失效分為芯片失效和封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多，如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障、線路短路等，但最終的失效都可歸結(jié)為電擊穿和熱擊穿兩種，其中電擊穿失效的本質(zhì)也是溫度過高的熱擊穿失效。
目前對IGBT芯片失效的研究主要集中在對引起失效的各種外部因素，如過電壓、過電流、過溫等進行分析上，而對失效的內(nèi)部機理及過程仍缺乏深入的研究。
（1）過壓失效
母線電壓、變壓器反射電壓以及漏極尖峰電壓等疊加，當漏源極承受最大單次脈沖能量超過其單脈沖雪崩能量 EAS 或多次脈沖能量超過其重復雪崩能量 EAR 時發(fā)生漏源雪蹦；
或者柵極產(chǎn)生尖峰電壓，柵極是模塊最薄弱的地方，在任何條件下，其接入的電壓必須在小于柵極電壓 VGS，否則引起擊穿，導致 IGBT 失效 。整車上會觸發(fā)電機控制器電壓故障，嚴重者會反沖擊電池包，引起電池管理系統(tǒng)報故障。
（2）過流失效
異常大的電流和電壓同時疊加，造成瞬態(tài)發(fā)熱，導致 IGBT 失效。漏源標稱電流如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中可能會引起電流擊穿的風險；
如果漏源最大脈沖電流 IDM、最大連續(xù)續(xù)流電流 IS、最大脈沖續(xù)流電流 ISM 偏小，系統(tǒng)發(fā)生過流或過載情況，同樣會發(fā)生電流擊穿風險 。整車上可能會觸發(fā)電機控制器報電流故障，嚴重者會引起電池包內(nèi)部熔斷器熔斷或繼電器粘連。
（3）過溫失效
三相橋臂門極開關(guān)瞬態(tài)開通不一致，極限情況下引起單管承受所有相電流；或者MOS 管內(nèi)阻及功率回路抗擾差異，導致穩(wěn)態(tài)不均流；以及晶元與 leadframe、leadframe與 PCB 銅箔之間存在空洞，局部溫升高，引起 IGBT 模塊溫度過高，發(fā)生過溫失效。
發(fā)生過溫失效的直接原因是溫升超過結(jié)溫 TSTG 及貯存溫度 TJ，如果系統(tǒng)設計時把模塊的結(jié)到封裝的熱阻 Rthjc、封裝到散熱片的熱阻 Rthcs以及結(jié)到空氣的熱阻 Rthja 設計越小，系統(tǒng)散熱越快；
或者導通電阻 RDS（ON）值越小，工作時損耗越小，溫升越慢，發(fā)生過溫失效的幾率就會越小。整車上可能會觸發(fā)電機控制器過溫保護，嚴重者會引起溫度傳感器燒毀。
1.熱失效
IGBT熱失效的原因有多種，比如散熱裝置不良、電流過大、浪涌電流沖擊、短路電流沖擊等，各種原因造成的IGBT熱失效機理和失效模式并不相同。
浪涌電流沖擊和短路電流沖擊是由于電流沖擊產(chǎn)生的熱量使芯片發(fā)生瞬時熱過載，局部結(jié)溫快速上升并達到絲化溫度Tf而發(fā)生失效，通常由一個或若干個沖擊周期內(nèi)功耗引起的結(jié)溫升與絲化溫度的關(guān)系決定；
散熱不良和電流過大是由于產(chǎn)生的熱量不能被完全散發(fā)出去而在內(nèi)部形成熱量累積使芯片溫度持續(xù)上升，最終也是局部到達絲化溫度Tf時發(fā)生失效，通常由連續(xù)周期內(nèi)產(chǎn)生的功耗與耗散的功耗決定。
本文以散熱不良和電流過大的熱失效作為分析對象，從熱平衡角度得到IGBT極限功耗以及熱失效機理。
單個IGBT芯片是由數(shù)以千計的元胞并聯(lián)而成的，這些元胞具有共同的P+發(fā)射區(qū)和N-基區(qū)，但各自的柵極與P+集電區(qū)均相互獨立。
圖1中點劃線框內(nèi)為穿通（PT）或場終止（FS）平面柵型IGBT的一個元胞結(jié)構(gòu)，非穿通（NPT）型IGBT去掉了圖中的N+緩沖層或場終止層，溝槽柵型將IGBT柵極垂直向下延伸到N-基區(qū)。
由IGBT工作機理可知，其開關(guān)和導通過程是通過載流子在基區(qū)不斷的運動與復合形成的電子、空穴電流，產(chǎn)生的熱量主要在J2結(jié)的N-外延層，即IGBT的有源基區(qū)。
在實際的反向PN結(jié)曲線中，由于空間電荷區(qū)的產(chǎn)生電流和表面漏電流的影響，反向電流會隨著反向電壓的增大而略有增大，表現(xiàn)出不飽和特性，且反向電流會隨著溫度的上升呈指數(shù)特征增加。
當PN結(jié)反向偏壓增加時，反向電流引起的熱損耗導致結(jié)溫上升，結(jié)溫的升高又導致反向電流增大，如果冷卻裝置不能及時將熱量傳遞出去，結(jié)溫上升和反向電流的增加將會交替循環(huán)下去，最終PN結(jié)發(fā)生擊穿，這種擊穿是由熱效應引起，稱為熱擊穿。
同樣的原理，IGBT熱失效機理也可從產(chǎn)生的熱量與所能耗散的熱量間的熱平衡關(guān)系來進行分析。
如果Pheat是IGBT產(chǎn)生的功率損耗，Pcool是可以通過封裝和散熱器最大限度的功率耗散，則IGBT發(fā)生熱擊穿條件的表達式為：
如果該條件在一個固定的工作點上實施，結(jié)溫會以指數(shù)規(guī)律快速升高，導致IGBT發(fā)生熱擊穿。
1）IGBT極限功耗由IGBT功耗的溫度曲線與結(jié)-殼穩(wěn)態(tài)傳熱功耗的溫度曲線相切時的切點，即臨界點對應的功耗得到，由此可對IGBT電氣參數(shù)進行合理優(yōu)化設計。
2）IGBT可在結(jié)溫穩(wěn)定點附近保持熱平衡狀態(tài)，一旦到達非穩(wěn)定點，IGBT結(jié)溫和功耗會形成正反饋導致結(jié)溫持續(xù)上升，直至發(fā)生熱擊穿失效。
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