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      6. TIP42C參數(shù)資料-TIP42C引腳圖與功能
        • 發(fā)布時間:2021-06-08 15:40:15
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        TIP42C參數(shù)資料-TIP42C引腳圖與功能
        TIP42C是功率三極管
        TIP42C 中文資料
        類別:分離式半導體產(chǎn)品
        家庭:晶體管(BJT) - 單路
        晶體管類型:PNP
        電流 - 集電極 (Ic)(最大):6A
        電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):100V
        Ib、Ic 條件下的 Vce 飽和度(最大):1.5V @ 600mA, 6A
        電流 - 集電極截止(最大):700µA
        在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):15 @ 3A, 4V
        功率 - 最大:2W
        頻率 - 轉(zhuǎn)換:3MHz
        安裝類型:通孔
        封裝 / 外殼:TO-220-3 (直引線)
        引腳圖及功能
        TIP42C
        引腳號
        引腳名稱
        1 基集
        2 集電極
        3 發(fā)射極
        工作原理
        晶體三極管(以下簡稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有 NPN 和 PNP 兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅 NPN 和鍺 PNP 兩種三極管,(其中,N 是負極的意思(代表英文中 Negative),N 型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子,在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導電,而 P 是正極的意思(Positive)是加入硼取代硅,產(chǎn)生大量空穴利于導電)。兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹 NPN 硅管的電流放大原理。
        對于 NPN 管,它是由 2 塊 N 型半導體中間夾著一塊 P 型半導體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的 PN 結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的 PN 結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射機 e (Emitter)、基極 b (Base)和集電極 c (Collector)。
        當 b 點電位高于 e 點電位零點幾伏時,發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而 C 點電位高于 b 點電位幾伏時,集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源 Ec 要高于基極電源 Eb。
        在制造三極管時,有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時基區(qū)做得很薄,而且,要嚴格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電子流。
        由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏,注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進入集電區(qū)而形成集電極電流 Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進行復合,被復合掉的基區(qū)空穴由基極電源 Eb 重新補給,從而形成了基極電流 Ibo. 根據(jù)電流連續(xù)性原理得:Ie=Ib+Ic
        三極管的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化。
        三極管是一種電流放大器件,但在實際使用中常常通過電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/div>
        內(nèi)部結(jié)構(gòu)
        TIP42C
        1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射電子
        電源 Ub 經(jīng)過電阻 Rb 加在發(fā)射結(jié)上,發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷地越過發(fā)射結(jié)進入基區(qū),形成發(fā)射極電流 Ie。同時基區(qū)多數(shù)載流子也向發(fā)射區(qū)擴散,但由于多數(shù)載流子濃度遠低于發(fā)射區(qū)載流子濃度,可以不考慮這個電流,因此可以認為發(fā)射結(jié)主要是電子流。
        2、基區(qū)中電子的擴散與復合
        電子進入基區(qū)后,先在靠近發(fā)射結(jié)的附近密集,漸漸形成電子濃度差,在濃度差的作用下,促使電子流在基區(qū)中向集電結(jié)擴散,被集電結(jié)電場拉入集電區(qū)形成集電極電流 Ic。也有很小一部分電子(因為基區(qū)很薄)與基區(qū)的空穴復合,擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
        3、集電區(qū)收集電子
        由于集電結(jié)外加反向電壓很大,這個反向電壓產(chǎn)生的電場力將阻止集電區(qū)電子向基區(qū)擴散,同時將擴散到集電結(jié)附近的電子拉入集電區(qū)從而形成集電極主電流 Icn。另外集電區(qū)的少數(shù)載流子(空穴)也會產(chǎn)生漂移運動,流向基區(qū)形成反向飽和電流,用 Icbo 來表示,其數(shù)值很小,但對溫度卻異常敏感。
        作用和用途
        具有電流放大作用,其實本質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb 的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù),用符號“β”表示。電流放大倍數(shù)對于某一只三極管來說是一個定值,但隨著三極管工作時基極電流的變化也會有一定的改變。
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