一些常用的硬件設(shè)計電路分析
MOS管,三極管常用電路-概述
芯片的集成度雖然越來越高，但是整個電路功能的實現(xiàn)，還是離不開分離器件的搭配，本文針對實際工作中的關(guān)于MOS管或者三極管的應(yīng)用做一些整理。
本文所介紹的功能，使用三極管也是可以的，但是實際應(yīng)用中，MOS管,三極管常用電路多使用MOS管，故本文多以MOS管進行說明。
MOS管,三極管常用電路-應(yīng)用
NMOS開關(guān)控制
如圖，通過NMOS的開關(guān)作用，完成對LED的亮滅控制。此時MOS管工作于截止區(qū)和可變電阻區(qū)。
總結(jié)：對于NMOS，當(dāng)Vgs = Vg - Vs > 0 時，NMOS 導(dǎo)通；當(dāng) Vgs = Vg - Vs < 0 時，NMOS斷開。
PMOS 電源控制
IO 控制
PMOS在整個電路系統(tǒng)中，其中某一部分的電路上電通過控制中可以方便用于通斷控制。上圖的電路中，使用時需要注意的一點是VCC_IN 與控制端的電平PWR_CON 要處于同一標(biāo)準(zhǔn)（eg：VCC_IN= 3.3V；PWR_CON 高電平 = 3.3V）。
總結(jié)：對于PMOS ，當(dāng)Vgs = Vg - Vs < 0 時，PMOS導(dǎo)通；當(dāng) Vgs = Vg - Vs > 0 時，PMOS斷開。因為MOS管的導(dǎo)通壓降是非常小的，所以在Rds之上的能量損耗是比較少的。
NMOS控制PMOS
進一步地，上圖的電路可以擴展為下圖，PMOS的柵極通過NMOS來控制。
拓展為此電路，針對VCC_IN 與PWR_CON 電壓就沒有強制的要求了。當(dāng)PWR_CON為高電平的時候，NMOS導(dǎo)通PMOS的柵極被拉低到低電平，PMOS導(dǎo)通VCC_OUT有電壓輸出；反之，當(dāng)PWR_CON為低電平時，NMOS關(guān)斷，從而使PMOS也斷開，這樣就完成了VCC_IN輸出電壓到VCC_OUT的控制。
按鍵上電控制
上圖的電路，就可以完成所謂的按鍵開機的功能。
（1）按下 K1 按鍵，PMOS的柵極被拉低，Vgs < 0，PMOS導(dǎo)通，VCC_OUT有電壓輸出；
（2）VCC_OUT有電壓輸出，按鍵按下時可完成對MCU的供電，然后軟件端通過MCU的GPIO進而控制
NMOS的柵極，即PWR_CON 。先通過KEY_DET檢測到按鍵動作，然后把PWR_CON設(shè)置為高電平，NMOS導(dǎo)通，使得PMOS也導(dǎo)通，這時候抬起按鍵，VCC_OUT一端也有電壓穩(wěn)定輸出，就實現(xiàn)了按鍵上電開機的功能。此電路的二極管，功能是防止電壓反竄和 對MCU的GPIO的保護。
功能流程：
反相（非門邏輯）
如果電路中需要實現(xiàn)邏輯非的功能，可以采用 MOS 管（三極管）加上電阻來實現(xiàn)，如下圖所示：
通過一個MOS管（三極管）加上兩個電阻，就可以實現(xiàn)非門的邏輯。
電池防反接功能
在大多數(shù)的電池防反接電路中，常選擇壓降小的二極管（如：肖特基二極管）來完成，但是針對如 3.7V 鋰電池的應(yīng)用場景，肖特基約為 0.2V 的壓降天然的造成了電池容量的浪費，而MOS管導(dǎo)通的低壓降（Vds）就有很大的優(yōu)勢了。
如上圖所示，PMOS 在此處的作用就是防止 VBUS 存在時，LDO Vin 端的電壓反竄到電池上。
原理分析：
（1）當(dāng) USB VBUS 存在時，PMOS 的柵極電壓 Vg = 5V，源極電壓 Vs = 3.7V（假設(shè)此時的電池電壓為 3.7V），Vgs = 5 - 3.7 = 1.3V（大于0），此時 PMOS 關(guān)斷，就起到了防止 Vin 端電壓反竄的作用；
（2）當(dāng) USB VBUS 不存在時，PMOS 的柵極通過 10K 的電阻下拉到 GND，因此柵極電壓 Vg =0V，源極電壓 Vs = 3.7V（假設(shè)此時的電池電壓為 3.7V），電池通過 PMOS 自身的寄生二極管使得 Vs = 3.7V，所以 PMOS 的導(dǎo)通電壓 Vgs = 0 - 3.7 = -3.7V，PMOS 導(dǎo)通，這樣就完成了電池電壓到 Vin 端的輸入。
上圖的 LDO 電路，只要使能端LDO_CON 給一個開啟信號，輸出端 V_3V3 就可以穩(wěn)定輸出 3.3V，C3、C4 為 LDO 的輸入輸出電容，一般大于 1uF（具體參考數(shù)據(jù)手冊取值）。
IO通信雙向切換
在一些設(shè)備中，如果兩個通過IO連接的器件，某一時刻，一個處于休眠，一個處于掉電，這時候就會導(dǎo)致休眠的器件向掉電的器件灌入電流，為了完全杜絕此狀態(tài)下的電路竄入，可采取如下電路的設(shè)計（比如：I2C的SDA信號）
原理分析：
如上面兩個方向的表格分析，這樣通過NMOS就完成了一個IO雙向通信的控制。（只能選擇NMOS，不可選擇PMOS，原因可以自行分析一下）
3.3V與5V的電平轉(zhuǎn)換
（1）MOS實現(xiàn)：
在實際的應(yīng)用中，常會遇到通信的兩個芯片之間的電平不匹配的問題，這時候就需要通過外部的電路來完成電平匹配的工作（如：MCU 的電平為3.3V，而外設(shè)的電平為5V）。
原理分析：
反之，也完成了對5V設(shè)備的數(shù)據(jù)的讀取。注：此電路用三極管也可以實現(xiàn)同樣的功能，如下圖：
（2） 兩級NPN實現(xiàn)：
如下圖所示，3.3V與5V之間的電平轉(zhuǎn)換，也可以通過兩級的NPN三極管來實現(xiàn)。
原理分析：
以上為一些常用的MOS管的實際應(yīng)用電路，部分已在實際中進行了驗證。
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