MOS電容器工作原理：電荷的收集
MOS電容器是所有MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)中最簡(jiǎn)單的，它是CCD的構(gòu)成基礎(chǔ);弄清楚這種結(jié)構(gòu)的原理對(duì)理解CCD的工作原理是非常有用的。
MOS電容器有二種類型:表面溝道和埋溝。這二種類型MOS電容器的制造只有些微地不同;然而，由于埋溝電容結(jié)構(gòu)具有很多顯著的優(yōu)點(diǎn)，因此這種結(jié)構(gòu)成了CCD制造工藝的首選。事實(shí)上今天制造的所有CCD幾乎都利用埋溝結(jié)構(gòu)。
MOS電容器工作原理-電荷的收集
埋溝電容是在一個(gè)p-型襯底上建造的;在p-型襯底表面上形成一個(gè)n-型區(qū)(~1μm厚);然后，生長(zhǎng)出一層薄的二氧化硅(~0.1μm厚);再在二氧化硅層上用金屬或高摻雜的多晶硅制作電極或柵極;至此完成了MOS電容的制作。
無(wú)偏置時(shí)，n-型層內(nèi)含有多余的電子向p-型層擴(kuò)散，p-型層內(nèi)含有多余的空穴并向n-型層擴(kuò)散;這個(gè)結(jié)構(gòu)與二極管結(jié)的結(jié)構(gòu)完全相同。上述的擴(kuò)散產(chǎn)生了內(nèi)部電場(chǎng)，在n-型層內(nèi)電勢(shì)達(dá)到最大。
CCD曝光時(shí)，每個(gè)像元有一個(gè)電極處于高電位。硅片中這個(gè)電極下的電勢(shì)將增大，成為光電子收集的地方，稱為勢(shì)阱。其附近的電極處于低電位，形成了勢(shì)壘，并確定了這個(gè)像元的邊界。像元水平方向上的邊界由溝阻確定 。
CCD曝光時(shí)，產(chǎn)生光生電荷，光生電荷在勢(shì)阱里收集。隨著電荷的增加，電勢(shì)將逐漸變低，勢(shì)阱被逐漸填滿，不再能收集電荷，達(dá)到飽和。勢(shì)阱能容納的最多電荷稱為滿阱電荷數(shù)。
MOS電容器工作原理：實(shí)際的埋溝結(jié)構(gòu)
埋溝結(jié)構(gòu)的兩邊各有-一個(gè)比較厚(~0.5-1.5μm)的場(chǎng)氧化物區(qū)。該區(qū)與高摻雜的p-型硅一起形成形成溝阻，該區(qū)的靜電勢(shì)對(duì)柵極的電壓和電壓變化不敏感，始終保持形成勢(shì)壘。
埋溝結(jié)構(gòu)的MOS電容的主要特點(diǎn)是:
能在單一電極之下的一個(gè)局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生勢(shì)阱;
能調(diào)整或控制柵極下面的勢(shì)能;
儲(chǔ)存電荷的位置(勢(shì)能最小處)離Si-Si02交界面有定的距離;
低的暗電流使其能夠長(zhǎng)時(shí)間的儲(chǔ)存信號(hào)電荷(取決于工作條件可以從數(shù)十秒到數(shù)小時(shí));
所收集的電荷可以通過(guò)光照、電注入等產(chǎn)生;
能快速地將電荷從-一個(gè)電極之下的一一個(gè)位置轉(zhuǎn)移到下一個(gè)鄰近的電極下面，而且損失非常低。
小結(jié)
CCD的基本結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，就是MOS電容。了解MOS電容器工作原理就了解了收集電荷的勢(shì)阱，了解了隔離電荷包的勢(shì)壘，了解了供電荷轉(zhuǎn)移的溝道。
CCD的輸出結(jié)構(gòu)對(duì)CCD性能的影響至關(guān)重要。通過(guò)對(duì)輸出結(jié)構(gòu)的學(xué)習(xí)，重點(diǎn)了解CCD輸出信號(hào)的特殊性和復(fù)位噪聲的概念。CMOS圖像傳感器發(fā)展很快，學(xué)習(xí)本章內(nèi)容對(duì)CMOS的應(yīng)用也是有用的。
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