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      6. 1200V 30A碳化硅(SiC)肖特基二極管
        • 發布時間:2020-05-11 16:11:51
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        1200V 30A碳化硅(SiC)肖特基二極管
        碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
        肖特基二極管
        肖特基二極管原理圖示例
        FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒有開關損耗,利用新的半導體材料 —— 碳化硅(SiC)提升了硅二極管的系統效率,支持更高的工作頻率,并且有助于提高功率密度,降低系統尺寸/成本。
        肖特基二極管
        碳化硅肖特基二極管參數表
        FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管可工作于1200V/30A環境,最大結溫175°C,雪崩額定值145mJ,高浪涌電流容量,正溫度系數,無反向恢復/無正向恢復,具有高可靠性,確保了在浪涌或過壓條件期間的可靠運行。
        作為一種高壓二極管,FFSH30120ADN采用表面貼裝,主要用于開關電源、太陽能逆變器、UPS,以及電源開關電路等。
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