肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導體器件，可以理解成升級版性能更優，壓降更低，效率更高的肖特基二極管
肖特基二極管SBT20V100也稱為金屬半導體結二極管20V100或者表面勢壘二極管20V100，具有正向耐大電流，反向恢復時間極快等優點。伴隨著科學技術的不斷進步發展，對肖特基二極管的性能要求也越來越高，要求自身功率損耗更小，所以VF值與漏電流控制到更低的肖特基20100愈發被市場重視。
低VF值SBT20V100肖特基二極管的VF數值是指正向壓降值低，是由于電子元件本身具有一定的內阻值，所以當電路工作時元件自身會產生壓降，與電流形成電能的一定損耗。因為電路中電流大小是特定需求的，所以正向壓降值的大小就與自身功率損耗的多少形成正比。
文明與科學技術的發展進步，對電子電器的節能提出更高的要求，必需減小對電能的無效浪費是未來電子元件的大勢所趨。普通20安培TO-220封裝肖特基二極管VF值一般在0.7V-0.8V間，而我司現推出低VF肖特基SBT20V100，VF值低到0.6左右。在業界倍受稱贊。其VF值（正向壓降）相比普通肖特基二極管低了10%左右，相同工作效率下，SBT20V100自身電能損耗更小更節能有著無以比擬的優勢。
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