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      6. 壓敏電阻器介紹與其電極制備方法
        • 發(fā)布時間:2020-04-13 18:45:32
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        壓敏電阻器介紹與其電極制備方法
        一、 壓敏電阻簡介
        壓敏電阻器是指對電壓敏感的電阻器,是一種半導體器件,其制作材料主要是氧化鋅。壓敏電阻器的最大特點是當加在它上面的電壓低于其閾值UN時,流過的電流極小,相當于一只關(guān)死的閥門,當電壓超過UN時,流過它的電流激增,相當于閥門打開。
        壓敏電阻器
        壓敏電阻
        利用這一功能,可以抑制電路中經(jīng)常出現(xiàn)的異常過電壓,保護電路免受過電壓的損害。壓敏電阻器工作原理-過壓保護原理:壓敏電阻器主要用在電氣設(shè)備交流輸入端,用做過壓保護。當輸入電壓過高時,它的阻值將減小,位串聯(lián)在輸入電路中的保險管熔斷,切斷輸入,從而保護電氣設(shè)備。
        壓敏電阻器常用的電極材料有導電漿料、無機鹽和金屬材料。導電漿料有貴金屬漿料和賤金屬漿料;無機鹽有氯化物和硫酸鹽;金屬材料有線材和粉末。
        基于各種電極材料的特性,出現(xiàn)了許多制備壓敏電阻器電極的方法,主要有料漿法、化學鍍、熱噴涂和冷噴涂。
        本文詳細綜述了壓敏電阻器電極的制備方法。
        二、 漿料法
        由于銀的導電能力強,抗氧化性能好,在銀表面可以直接焊接金屬,所以壓敏電阻器通常采用銀漿制備電極 。
        采用鋁漿制備電極,也顯現(xiàn)出低的接觸電阻。
        銅漿制備電極已用在鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻器、氧化鋅壓敏電阻器和片式陶瓷電容器。
        鎳漿、鋅漿制備電極見諸報導,目前尚處實驗室研究過程中。
        壓敏電阻器
        壓敏電阻展示圖
        2.1 被銀法
        被銀法又名燒滲銀法。
        燒滲是在高溫及還原性氣氛的作用下,一部分金屬氧化物將被還原成金屬,另一部分則可能熔融并添加到陶瓷玻璃相中,或與陶瓷中之某些晶態(tài)物質(zhì)通過化學反應(yīng)而生成一種新的化合物,形成一種粘稠的過渡層,并對陶瓷表面完全潤濕。而且,在冷卻過程中這粘稠的過渡層,凝固為玻璃相,填充于陶瓷表面與金屬粉粒之間。
        ⑴ 被銀法的工藝過程步驟
        ① 瓷件預(yù)處理
        瓷件被銀之前必須預(yù)先進行凈化處理。
        ② 銀漿配制
        銀漿的配方,主要是由含銀原料、溶劑及粘合劑組成。
        ③ 銀電極漿料的制備
        將制備好的含銀原料、溶劑和粘合劑按一定配比配料后,在剛玉或瑪瑙罐中球磨40h~90h,使粉體粒度<5μm并混合均勻。
        ④ 涂敷工藝
        涂敷工藝有手工、機械、浸涂、噴涂或絲網(wǎng)印刷等。
        ⑤ 燒銀
        燒銀的目的,是在高溫作用下使瓷件表面上形成連續(xù)、致密、附著牢固、導電性良好的銀層。
        ⑵ 銀漿制備電極存在的缺陷
        ① 對某些陶瓷材料,銀電極層的附著強度不好、易脫落,元件的廢品率較高。
        ② 銀離子的遷移將可能影響性能的長期穩(wěn)定性。
        ③ 雖然銀的價格沒有金、鉑高,但銀也在貴金屬材料之列,生產(chǎn)成本仍然比較高。
        2.2 被銅法
        (1)銅漿含銅量
        銅漿含銅量在70%~75%間,燒滲溫度為520℃~600℃的低溫[5]。
        (2)涂敷工藝 為 絲網(wǎng)印刷
        用200目絲網(wǎng)在壓敏陶瓷體上印8μm~10μm厚度的銅漿。
        (3)烘干
        鏈帶式烘干爐,普通大氣環(huán)境下,最高溫度為150℃~200℃,烘干周期為5min~10min。
        (4)燒滲
        將烘干的壓敏電阻用篩網(wǎng)裝好后,放入專用的鏈帶式氮氣氛保護隧道電爐中燒滲銅電極。整個燒滲過程必須在幾乎無氧的氣氛環(huán)境下進行。
        ① 升溫區(qū)
        在溫度為200℃~450℃的升溫區(qū),未來更有利地排走銅漿料中的溶劑和粘結(jié)劑等有機物,通入的高純氮混有微量空氣,其中氧氣的混合比例控制在50ppm~500ppm。
        ② 高溫區(qū)
        最高銅電極燒滲溫度為500℃~600℃,恒溫時間為1min~10min,該溫區(qū)段必須通入99.999%純度的高純氧,氧含量控制在<20ppm。
        ③ 降溫區(qū)
        通入99.999%純度的高純氧,氧含量控制在<20ppm。靠進出口的位置使用水冷降溫,確保出爐產(chǎn)品的溫度低于60℃。
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