得到必要的參數有助于對功率損耗有一個大概的了解。選擇好合適的器件之后，最好測一下它的動態(tài)損耗，來驗證理論假設的正確性。

表1中的結果是通過在相同的工作條件下測量出來的，這樣我們就可以直接對這幾種不同類型的二極管進行比較。

表1測試二極管的靜態(tài)及動態(tài)參數

測試二極管的靜態(tài)及動態(tài)參數 

有了測量值和計算值以后，我么就可以根據給定的設計參數選擇適宜的二極管。根據二極管的功率損耗計算方式式和表2中的數值，圖1給出了二極管的總功率損耗和開關頻率的關系曲線。從圖中可以看出，開關頻率大于50kHz時，串聯(lián)型二極管的損耗最低。100kHz時，DSEP 9-06CR的損耗只有單個芯片二極管的80%。因此為了提高整個電路的效率，我們可以選擇串聯(lián)型二極管。

圖2給出了最大允許溫度和開關頻率的關系曲線，同樣應用了表1中的數值。結溫被設定在150℃，這個溫度要低于IXYS HiPerFRED二極管的最高溫度175℃。尺寸最大的二極管(DSEP30-06B)需要最低的散熱條件，因此當周圍溫度比較高，散熱有問題的時侯，這種二極管比較適用。大于80kHz時，串聯(lián)型二極管DSEP 9-06CR的性能要優(yōu)于較小的DSEP8-06A單芯片二極管。這是因為在這個圖中，只出現(xiàn)了二極管的損耗，它們之間的交叉點要高于圖1中的點，因此在二極管的總損耗中，開通損耗要占絕大部分。

圖1 二極管功率與開關頻率關系曲線(對應表1)

圖2 最高允許溫升與開關頻率(對應表1，Tj=110°)

當開關頻率在50kHz到100kHz范圍內(大部分PFC電路中所用的頻率)時，必須根據設計的要求來選擇二極管。如果開關頻率已經固定，散熱又沒有問題，DSEP 8-06A是首選，因為它相對比較便宜。如果開關器件還沒有選擇好，那么可以嘗試選擇中聯(lián)型二極管，因為它可以減少開關的開通損耗。就這點來看，同單芯片二極管和較大的晶體管相比?？偟某杀究梢越档拖聛?，如果開關頻率大于100kHz，或者系統(tǒng)要求高效率，那么無疑要選擇串聯(lián)型二極管了。有源吸收網絡在主開關管開通之前給二極管的結電容放電，我們可以去掉這個吸收網絡，這樣，主開關管的漏電流就不存在比較大的反向恢復電流，用低反向恢復電流的串聯(lián)型二極管取代傳統(tǒng)的整流橋，在不加輔助電路的情況下，也可以起到同樣的效果。

有競爭力類型的二極管同IXYS串聯(lián)型二極管06EP相比，需要較低的散熱條件。這是因為它的反向恢復時間非常短，根據式(1)，它的損耗也比較低，但這種快速的關斷特性付出的代價是存在如圖3所示的EMC問題，DSEP9-06CR關斷比較慢但比較軟，幾乎可以忽略振蕩。圖4表明，同單芯片二極管DSEP8-06A相比，它具有良好的反向恢復特性。

圖3 其它二極管的關斷曲線

圖4 串聯(lián)型二極管與單聯(lián)二極管反向恢復曲線對比

當把若干個器件串聯(lián)時，需要保證電壓均衡。這可以通過給每一個單個器件并聯(lián)一個RC吸收網絡，電阻實現(xiàn)靜態(tài)電壓均衡，電容實現(xiàn)動態(tài)電壓均衡。根據上面的介紹，單封裝、串聯(lián)型二極管不再需要外圍的網絡。集成在一個外殼內的芯片都實現(xiàn)了比較好的匹配，它們之間參數的差異也比較小。靜態(tài)、動態(tài)電壓均衡測試保證了器件的安全性，因此串聯(lián)型二極管可以取代單芯片二極管，而不必再受附加電路的限制和制約。

根據不同的開關頻率就有不同的優(yōu)化方法。在低頻場合，單芯片二極管是首選，因為它有較低的靜態(tài)損耗。在中等頻率范圍內，使用者必須根據所要求的性能指標來選擇合適的二極管。如果需要低損耗，單芯片器件可能是最佳選擇、但也可以考慮較好性能的串聯(lián)型二極管，因為使用它以后可以選擇定額小的開關管，這樣就可以降低總的成本。如果周圍的環(huán)境溫度比較高，散熱能力又比較差，這時可以選擇具有較大尺寸，散熱特性比較好的器件。選用低動態(tài)參數的串聯(lián)型二極管可以提高整個系統(tǒng)的效率，因此，在高頻甚至更高頻率的場合，這種二極管應該是最佳選擇。
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