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      6. 抑制副邊整流二極管尖峰電壓
        • 發(fā)布時間:2019-12-07 17:32:34
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        抑制副邊整流二極管尖峰電壓
        前沿尖峰的一些抑制方法
        1選用軟恢復特性的肖特基二極管,或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效,或在開關管整流管的磁珠。磁芯材料選用對高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料,等。
        2在二次側接入RC吸收回路可進一步減小前沿尖峰的幅值,降低二極管恢復過程中的振蕩頻率。
        3多個整流二極管并聯(lián);適當增大整流二極管的電流容量,可相對減小反向恢復時的關斷時間,限制反向短路電流的數值,可抑制電流尖峰和降低導通損耗。
        4盡量使元件布局走線合理 ,減小大電流回路的面積,對EMI的抑制也比較有效。
        后沿尖峰的抑制方法
        5選用開關速度快的整流二極管
        6選用高導磁率的磁芯,變壓器設計時激磁電流盡可能小
        7選用高磁通密度的材料,確保在惡劣環(huán)境下變壓器不會飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3; 
        8選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。
        9高頻變壓器繞制盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線時要考慮到趨膚效應。
        10在開關管的D-S之間并聯(lián)RC吸收回路。
        整流二極管尖峰電壓
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