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MOS的6大失效原因與解決方案
2020-03-11
MOS的6大失效原因與解決方案MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—
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MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的
2020-03-11
MOS管半導(dǎo)體的函數(shù)差-半導(dǎo)體的函數(shù)是怎么定義的SiOz-SiMoS二極管對(duì)所有的MOS二極管而言，金屬—Si02 -Si為最受廣泛研究．Si0—Si系統(tǒng)的電
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雙極型晶體管半導(dǎo)體圖
2020-03-10
雙極型晶體管半導(dǎo)體圖晶體管（是轉(zhuǎn)換電阻transfer rcsistor的縮寫）是一個(gè)多重結(jié)的半導(dǎo)體器件，通常晶體管會(huì)與其他電路器件整合在一起，以
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可控硅器件與相關(guān)功率器件
2020-03-10
可控硅器件與相關(guān)功率器件可控硅器件是一種非常重要的功率器件，可用來(lái)作高電壓和高電流的控制．可控硅器件主要用在開(kāi)關(guān)方面，使器件從關(guān)閉
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快恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管的開(kāi)關(guān)電源
2020-03-10
快恢復(fù)二極管與超快恢復(fù)二極管的開(kāi)關(guān)電源快恢復(fù)及超快恢復(fù)極管在開(kāi)關(guān)電源二次側(cè)的輸出整流電路中，一般選用反向恢復(fù)時(shí)悶較短的整流二極管，
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推挽式開(kāi)關(guān)電源原理圖
2020-03-10
推挽式開(kāi)關(guān)電源原理圖簡(jiǎn)介在雙激式開(kāi)關(guān)電源中，推挽式開(kāi)關(guān)電源是最常用的開(kāi)關(guān)頻率電源。因?yàn)橥仆焓介_(kāi)關(guān)電源中的兩個(gè)操控開(kāi)關(guān)管K1 和輪流替
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晶體管的驅(qū)動(dòng)MOSFET管知識(shí)
2020-03-10
晶體管的驅(qū)動(dòng)MOSFET管知識(shí)MOSFET管柵極驅(qū)動(dòng)電路如上所述 ，柵極驅(qū)動(dòng)電路必須能輸出電流 ，即成為 源。同時(shí)，為了提供柵極反向電壓，MO
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驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路圖
2020-03-10
驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路圖其他類型的基極驅(qū)動(dòng)電路在過(guò)去的幾年里 ，出現(xiàn)了許多專門用于驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管的電路 。它們大多應(yīng)用于低功率場(chǎng)
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雙極型晶體管的直流增益曲線圖
2020-03-10
雙極型晶體管的直流增益曲線圖對(duì)于MOS管雙極型晶體管 ，由于電流增益隨輸出電流的上升急劇下降 ，當(dāng)輸出電流顯著增加時(shí)， 其基極電流的
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MOSFET柵極電壓圖
2020-03-09
MOSFET柵極電壓圖漏極電流上升和下降太快會(huì)在地線和電源線上引起較大的 Ldi dt 尖峰電壓并在鄰近的線路或節(jié)點(diǎn)上輯合出大的 CdV dt j良
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應(yīng)用磁放大器關(guān)斷輔輸圖
2020-03-09
應(yīng)用磁放大器關(guān)斷輔輸出迄今為止 ，磁放大器只是用來(lái)調(diào)理輔輸出電壓 。它經(jīng)過(guò)控制初始磁通密度 Bl 來(lái)控制輸 出。Bl 越低，關(guān)斷時(shí)間
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弦半波電壓圖
2020-03-09
弦半波電壓圖開(kāi)關(guān)頻率和 Ll 電感值的計(jì)算在圖 15 12 C c） 中，當(dāng)Ql 導(dǎo)通時(shí)，L1 的電壓為飛 ，電感 L1 的電流按斜率 dl f dt