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        • 發(fā)布時間:2024-11-13 15:26:07
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        5N65場效應管,5N65參數(shù)5A 650V TO-252,5N65中文資料規(guī)格書
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        5N65 TO-252封裝參數(shù):點擊查看5N65
        5N65場效應管參數(shù)具體如下:
        5N65
        封裝類型:TO-252
        極性:NPN
        漏極電流:5A
        功率耗散:50W
        反向傳輸電容Crss:5.4pF
        柵極源極擊穿電壓:±20V
        擊穿電壓:650V
        存儲溫度:-55℃~+150℃
        引腳數(shù):3Pin
        導通電阻ID=2A,VGS=10V:Typ Ω Max 2.5Ω
        導通電阻ID=A,VGS=V:Typ mΩ Max mΩ
        工作溫度:-55℃~+150℃
        安裝類型:SMT
        二、作用與應用
        5N65場效應管的核心作用是作為電子開關使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動,實現(xiàn)對負載的精確控制。由于其出色的電氣性能,5N65廣泛應用于以下領域:
        電源管理:5N65可用于開關電源的開關控制部分,提高電源轉(zhuǎn)換效率。
        信號放大:在信號放大電路中,5N65通過其高性能和可調(diào)控的電流特性,實現(xiàn)對信號的精準放大。
        電機驅(qū)動:適用于低電壓、低電流的小型伺服電機控制或功率MOSFET門驅(qū)動器。
        邏輯電路:5N65可用于實現(xiàn)數(shù)字邏輯功能,如與、或、非等邏輯門。
        負載驅(qū)動:5N65可用于驅(qū)動小功率負載,如繼電器、LED等。
        三、TO-252封裝特點
        5N65采用TO-252封裝,這是一種表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝,具有以下特點:
        封裝結(jié)構(gòu):TO-252封裝屬于表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝之一,也被稱為D-Pak封裝。TO-252具有更小的封裝尺寸和高功率密度,能夠有效節(jié)省電路板空間,適合于大規(guī)模集成電路的應用。
        優(yōu)異的導電性能:低壓MOS管TO-252最顯著的特點之一是其出色的導電性能。其低導通電阻(Rds(on))確保了在低電壓下的高效率運行,從而減少了能量的損耗。這使得它在電源管理和負載開關應用中非常受歡迎。
        高散熱性能:MOSFET在高負載運行時容易產(chǎn)生大量熱量,TO-252封裝設計了更大的接地面積,更有利于散熱管理。通過金屬背面的散熱,提高了MOS管在高功率應用中的可靠性和穩(wěn)定性。
        耐壓與耐流特性:低壓MOS管TO-252通常具有較高的耐壓和耐流特性,這是它能夠在嚴酷的工業(yè)環(huán)境中長期穩(wěn)定運行的基礎。
        5N65場效應管 TO-252封裝尺寸:
        5N65
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