IRLML6402場效應(yīng)管,IRLML6402參數(shù)資料,IRLML6402引腳圖,IRLML6402中文資料規(guī)格書PDF
IRLML6402/SOT-23封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
IRLML6402場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：PNP
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-20V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-3.7A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：-2.2A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：1.3W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3.7A,VGS=-4.5V：Typ 0.05Ω Max 0.065Ω
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3.1A,VGS=-2.5V：Typ 0.08Ω Max 0.135Ω
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
IRLML6402場效應(yīng)管/SOT-23封裝尺寸：
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